已經(jīng)表明，在有源層中包含 InAs/(GaIn)Sb超晶格的紅外探測器的性能可以與MCT 光電二極管相媲美。制造了具有背景限制性能的第三大氣窗口（8-12 μm 波長）中截止波長的大型紅外光電二極管。

處理技術(shù)的發(fā)展仍在進行中，在鈍化焦平面陣列上首次取得成功混合在硅扇出結(jié)構(gòu)上。本技術(shù)基于兩英寸的GaSb襯底。然而，三英寸基板已經(jīng)在市場上銷售。從基本的角度來看，基于銻化物的材料系統(tǒng)在隧穿電流方面表現(xiàn)出優(yōu)勢，因為有效電子質(zhì)量更高，其對有效帶隙的依賴性很小。

此外，與 MCT 相比，由于俄歇重組率較小，因此有望獲得優(yōu)勢。尤其適用于超長波長和低背景條件下的應用。預計InAs/(GaIn)Sb超晶格光電二極管的性能將優(yōu)于基于 MCT 的成像器。

深空天文學和污染監(jiān)測等太空應用非常需要截止波長超過 16 μm的高性能紅外探測器。目前可用的在該波長范圍內(nèi)具有高量子效率的檢測器是碲化鎘汞(MCT) 和非本征硅檢測器。然而，由于 HgCdTe 的高度非均勻性28，具有可接受均勻性的探測器陣列只能使用長波長的外來硅探測器來實現(xiàn)。雖然檢測率和這種類型的探測器已經(jīng)實現(xiàn)了良好的均勻性，它們必須被冷卻到 10K 以下。因此，需要一種笨重、笨重且壽命短的三級低溫冷卻器。這些缺點對于空間應用尤其重要，因為它們顯著增加了發(fā)射成本。

理論29計算和我們的實驗結(jié)果表明，InAs/Ga 1 _ x In x Sb II 型超晶格具有與 MCT 相似的吸收系數(shù)，因此具有非常高的量子效率的探測器是可能的。然而，與 MCT 不同，由于 III-V 化合物半導體的強鍵合，在該材料系統(tǒng)中生長的均勻性不是問題。