60年代以前多為單元紅外探測(cè)器掃描成像，但靈敏度低，二維掃描系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜笨重。增加探測(cè)元，例如有N元組成的探測(cè)器，靈敏度增加N1/2倍，一個(gè)M×N陣列，靈敏度增長(zhǎng)（M×N）1/2倍。

  元數(shù)增加還將簡(jiǎn)化光機(jī)掃描機(jī)構(gòu)，大規(guī)模凝視焦平面陣列，不再需要光機(jī)掃描，大大簡(jiǎn)化整機(jī)系統(tǒng)?，F(xiàn)代紅外探測(cè)器技術(shù)進(jìn)入第二、第三代，重要標(biāo)志之一就是元數(shù)大大增加。另一方面是開(kāi)發(fā)同時(shí)覆蓋兩個(gè)波段以上的雙色和多光譜探測(cè)器。所有進(jìn)展都離不開(kāi)新技術(shù)特別是半導(dǎo)體技術(shù)的開(kāi)發(fā)和進(jìn)步。幾項(xiàng)具有里程碑意義的技術(shù)有：

  （1）半導(dǎo)體精密光刻技術(shù)

  使紅外探測(cè)器技術(shù)由單元向多元線列探測(cè)器迅速發(fā)展，即后來(lái)稱(chēng)為第一代探測(cè)器。

  （2）Si集成電路技術(shù)

  Si讀出電路與光敏元大面陣耦合，誕生了所謂第二代的大規(guī)模紅外焦平面陣列探測(cè)器 。更進(jìn)一步有Z平面和靈巧型智能探測(cè)器等新品種。此項(xiàng)技術(shù)還誘導(dǎo)產(chǎn)生非制冷焦平面陣列 ，使一度冷落的熱探測(cè)器重現(xiàn)勃勃生機(jī)。

  （3）先進(jìn)的薄層材料生長(zhǎng)技術(shù)

  分子束外延、金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積和液相外延等技術(shù)可重復(fù)、精密控制生長(zhǎng)大面積高度均勻材料，使制備大規(guī)模紅外焦平面陣列成為可能。也是量子阱探測(cè)器出現(xiàn)的前提。

  （4）微型制冷技術(shù)

  高性能探測(cè)器低溫要求驅(qū)動(dòng)微型制冷機(jī)的開(kāi)發(fā)，制冷技術(shù)又促進(jìn)了探測(cè)器的研制和應(yīng)用。

  我國(guó)紅外探測(cè)器研制從1958年開(kāi)始，至今已40多年。先后研制過(guò)PbS、PbSe、Ge:Au、Ge:Hg 、InSb、PbSnTe、HgCdTe、PtSi/Si、GaAs/AlGaAs量子阱和熱釋電探測(cè)器等。 隨著低維材料出現(xiàn)，納米電子學(xué)、光電一體化等技術(shù)日新月異，21世紀(jì)紅外探測(cè)器必有革命性的進(jìn)展。物理學(xué)及材料科學(xué)是現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展的主要基礎(chǔ)，現(xiàn)代技術(shù)飛速發(fā)展對(duì)物理學(xué)研究又有巨大的反作用。