紅外探測器是一種對于紅外輻射進行高靈敏度感應的光電轉換器件。早起的紅外探測基于紅外輻射的熱效應，根據電子受光子激發(fā)后輸送性能的差異制作的探測器稱為光子探測器。
  目前以碲鎘汞為代表的光子探測器已經獲得了長足的發(fā)展，而與碲鎘汞探測器有著不同量子機理的量子阱紅外探測器正嶄露頭角。
  對物體熱特征分布的探測石對紅外輻射感知的必然發(fā)展。單元器件和二維機械掃描系統(tǒng)結合實現(xiàn)了第一代掃描成像探測技術，紅外焦平面器件將機械掃描轉換為電掃描，單個元器件演變?yōu)殛嚵衅骷?，這就是第二代成像探測技術。
  在單元器件發(fā)展到陣列器件過程中，均勻性成為影響成像探測能力的關鍵。目前碲鎘汞紅外焦平面器件在紅外成像探測技術領域內舉足輕重，一如硅材料在微電子領域的地位。然而由于碲鎘汞中Hg-Te結合鍵的相對脆弱，材料和器件制備技術始終難以像硅工藝那樣得到精確控制，均勻性難度極大。QWIP器件的主導材料是砷化鎵基半導體，材料與器件工藝僅次于硅工藝，均勻性可以高約1個數(shù)量級。
  當然，量子阱紅外探測器由其基本工作原理決定，量子效率比碲鎘汞紅外探測器要小近1個量級。QWIP在均勻性上的優(yōu)勢以及在量子效率上的劣勢決定了它與碲鎘汞紅外探測器件兩者必然處于一種互補狀態(tài)。